Дарлингтона усилитель транзисторы, NPN кремний
Артикул: C128012
Part Number: MMBTA13LT1G
Производитель: onsemi
от 0.017600 ₽
В наличии: 8480 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.036100 ₽ |
| 200 шт. | 0.028200 ₽ |
| 600 шт. | 0.023800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.021100 ₽ |
| 9000 шт. | 0.018800 ₽ |
| 21000 шт. | 0.017600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Ток коллектора (Ic) | 300mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 10000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 125MHz |
Описание
30V 10000 300mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS