Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology, 600V высокоскоростной импульсный серия третий поколение

Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology, 600V высокоскоростной импульсный серия третий поколение

Артикул: C127956 Part Number: IKW50N60H3 Производитель: Infineon
от 1.842100 ₽ В наличии: 26 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.510400 ₽
10 шт. 2.992500 ₽
30 шт. 2.389400 ₽
90 шт. 2.056800 ₽
480 шт. 1.907600 ₽
960 шт. 1.842100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 333W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@50A,15V
Заряд затвора (Qg) 315nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.1V@0.8mA
Входная ёмкость (Cies) 2.96nF
Выходная ёмкость (Coes) 116pF
Проходная ёмкость (Cres) 96pF
Время задержки включения Td(on) 23ns
Время задержки выключения Td(off) 235ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.45mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 910uJ
Время обратного восстановления (trr) 130ns

Описание

333W 50A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS