TrenchStop и С ограничением электрического поля technology IGBT с анти-параллельный С управлением эмиттером HE диод
Артикул: C127955
Part Number: IKW25T120
Производитель: Infineon
от 7.832400 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.139400 ₽ |
| 10 шт. | 8.007800 ₽ |
| 30 шт. | 7.920100 ₽ |
| 90 шт. | 7.832400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 190W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 155nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.86nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 96pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 82pF |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 560ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 200ns |
Описание
190W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS