Эпитаксиальный планарный PNP транзистор для импульсный и интерфейс/драйвер цепь применения
Артикул: C125272
Part Number: KRA119S-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.013700 ₽
В наличии: 2685 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 3 шт. | 0.026900 ₽ |
| 30 шт. | 0.021200 ₽ |
| 90 шт. | 0.018100 ₽ |
| 300 шт. | 0.016200 ₽ |
| 1500 шт. | 0.014500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.013700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 150mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@20mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 2.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 200mW поверхностный монтаж SOT-23