Эпитаксиальный планарный PNP транзистор для импульсный и интерфейс/драйвер цепь применения
Артикул: C125269
Part Number: KRA116S-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.168200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.277600 ₽ |
| 50 шт. | 0.230900 ₽ |
| 150 шт. | 0.210900 ₽ |
| 500 шт. | 0.186000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.174900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.168200 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 33 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 1.3kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23