Эпитаксиальный планарный PNP транзистор
Артикул: C125264
Part Number: KRA110S-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.009800 ₽
В наличии: 1330 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.010400 ₽ |
| 100 шт. | 0.010100 ₽ |
| 300 шт. | 0.009900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.009800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 120 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23