Транзистор предварительное смещение 50V SOT-353
Артикул: C125132
Part Number: UMG8N
Производитель: JSCJ
от 0.029500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.056900 ₽ |
| 100 шт. | 0.045100 ₽ |
| 300 шт. | 0.039200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.034800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.031300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.029500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-353