Транзистор предварительное смещение 50V SOT-563
Артикул: C123006
Part Number: EMH2T2R
Производитель: ROHM
от 0.045100 ₽
В наличии: 1640 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.090900 ₽ |
| 50 шт. | 0.071200 ₽ |
| 150 шт. | 0.061400 ₽ |
| 500 шт. | 0.054000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.048100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.045100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 47kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-563