Транзистор предварительное смещение 20V SOT-457

Транзистор предварительное смещение 20V SOT-457

Артикул: C122999 Part Number: IMH23T110 Производитель: ROHM
от 0.063200 ₽ В наличии: 710 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.130500 ₽
50 шт. 0.101900 ₽
150 шт. 0.087600 ₽
500 шт. 0.076900 ₽
3000 шт. 0.067500 ₽
6000 шт. 0.063200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 2 NPN (Pre-Biased)
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 20V
Ток коллектора (Ic) 600mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Тип NPN
Коэффициент усиления по постоянному току 820
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Рабочая температура -55℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) -
Максимальное входное напряжение (VI(off)) -
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 6.11kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 150mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 150MHz
Ток отсечки коллектора 0.5uA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 20V 600mA 300mW поверхностный монтаж SOT-457