Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C122979
Part Number: UMH2N-TN
Производитель: ROHM
от 0.039700 ₽
В наличии: 2075 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.084700 ₽ |
| 50 шт. | 0.065400 ₽ |
| 150 шт. | 0.055700 ₽ |
| 500 шт. | 0.048400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.042600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.039700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 500mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 100mV |
| Входной резистор | 47kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363