Транзистор предварительное смещение 18V SOT-363
Артикул: C117854
Part Number: DRDNB16W-7
Производитель: DIODES
от 0.084100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.087900 ₽ |
| 50 шт. | 0.086300 ₽ |
| 150 шт. | 0.085200 ₽ |
| 500 шт. | 0.084100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 600mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 18V 600mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363