onsemi HGTG11N120CND

onsemi HGTG11N120CND

Артикул: C11755 Part Number: HGTG11N120CND Производитель: onsemi
от 2.286300 ₽ В наличии: 85 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.653800 ₽
10 шт. 3.128100 ₽
30 шт. 2.813700 ₽
90 шт. 2.497600 ₽
450 шт. 2.351800 ₽
900 шт. 2.286300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT NPT (Non-Punch Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) 298W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 43A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.4V@11A,15V
Заряд затвора (Qg) 120nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 6V@90uA
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 26ns
Время задержки выключения Td(off) 240ns
Энергия потерь при включении (Eon) 950uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.3mJ
Время обратного восстановления (trr) 70ns

Описание

298W 43A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-247AC-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS