Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N65FA9HD
Артикул: C115521
Part Number: CS4N65FA9HD
Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 0.221800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.362300 ₽ |
| 10 шт. | 0.302400 ₽ |
| 50 шт. | 0.276700 ₽ |
| 100 шт. | 0.244600 ₽ |
| 500 шт. | 0.230400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.221800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.5Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 544pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
30W 650V 4A 4V 2.5Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)