Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS12N65FA9R
Артикул: C115512
Part Number: CS12N65FA9R
Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 0.653100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.940700 ₽ |
| 10 шт. | 0.823700 ₽ |
| 50 шт. | 0.763600 ₽ |
| 100 шт. | 0.705100 ₽ |
| 500 шт. | 0.671000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.653100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 800mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.993nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
42W 650V 12A 4V 800mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)