Эпитаксиальный планарный NPN/PNP транзистор
Артикул: C112806
Part Number: KRX102U-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.049700 ₽
В наличии: 1440 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.081700 ₽ |
| 100 шт. | 0.068000 ₽ |
| 300 шт. | 0.061100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.055900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.051800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.049700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased (Base-Collector Junction) |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 61.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 200mW поверхностный монтаж USV(SC-70-5)