Эпитаксиальный планарный NPN транзистор сильноточный импульсный и интерфейс цепь применение
Артикул: C112796
Part Number: KRC246S-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.028800 ₽
В наличии: 8950 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.057900 ₽ |
| 100 шт. | 0.047300 ₽ |
| 300 шт. | 0.042000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.033600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.030400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.028800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 800mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.5 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 800mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23