Эпитаксиальный планарный NPN транзистор для импульсный и интерфейс/драйвер цепь применения
Артикул: C112793
Part Number: KRC105S-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.017100 ₽
В наличии: 20400 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.033600 ₽ |
| 200 шт. | 0.027400 ₽ |
| 600 шт. | 0.023900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.018100 ₽ |
| 21000 шт. | 0.017100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
Описание
200 100mA 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS