Эпитаксиальный планарный PNP транзистор для импульсный и интерфейс/драйвер цепь применения
Артикул: C112792
Part Number: KRA302E-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.036100 ₽
В наличии: 2760 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.057900 ₽ |
| 100 шт. | 0.048500 ₽ |
| 300 шт. | 0.043800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.040300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.037500 ₽ |
| 9000 шт. | 0.036100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
Описание
80 100mA 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP ESM одиночные биполярные транзисторы RoHS