Транзистор предварительное смещение 50V TO-236-3(SOT-23-3)

Транзистор предварительное смещение 50V TO-236-3(SOT-23-3)

Артикул: C111713 Part Number: DTA114YKAT146 Производитель: ROHM
от 0.017400 ₽ В наличии: 2700 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.041300 ₽
200 шт. 0.032400 ₽
600 шт. 0.027500 ₽
3000 шт. 0.021400 ₽
9000 шт. 0.018800 ₽
21000 шт. 0.017400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 68
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.4V@1mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@5mA,0.25mA
Входной резистор 13kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 5.7
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)