Высокоскоростной DuoPack: IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный диод
Артикул: C111025
Part Number: IKW25N120H3
Производитель: Infineon
от 1.673300 ₽
В наличии: 389 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.115400 ₽ |
| 10 шт. | 2.681100 ₽ |
| 30 шт. | 2.130500 ₽ |
| 90 шт. | 1.851900 ₽ |
| 480 шт. | 1.727400 ₽ |
| 960 шт. | 1.673300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 326W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 115nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@0.85mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.43nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 115pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 75pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 277ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 850uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 290ns |
Описание
326W 25A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS