JFET прерыватель P-канальный - обеднение
Артикул: C106763
Part Number: MMBFJ177LT1G
Производитель: onsemi
от 0.082400 ₽
В наличии: 148619 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.137100 ₽ |
| 10 шт. | 0.112100 ₽ |
| 30 шт. | 0.099200 ₽ |
| 100 шт. | 0.088600 ₽ |
| 500 шт. | 0.084900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.082400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 800mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 300Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 1.5mA |
| Входная ёмкость Ciss | 11pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
225mW 1.5mA 1 P-канальный 300Ω 30V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS