onsemi NTMD6P02R2G
Артикул: C10666
Part Number: NTMD6P02R2G
Производитель: onsemi
от 0.408800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.746600 ₽ |
| 10 шт. | 0.607800 ₽ |
| 30 шт. | 0.538400 ₽ |
| 100 шт. | 0.470500 ₽ |
| 500 шт. | 0.428800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.408800 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Количество | 2 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.8A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@2.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 35nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 450pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 775pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 7.8A 2W 50mΩ@2.5V 1.2V 2 P-канальный SOIC-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS